多共振型热活化延迟荧光（MR-TADF）材料兼具高效率与窄带发射特性，是实现广色域有机发光二极管（OLED）的关键发光层材料。目前，B/N骨架的MR-TADF材料主要采用从头合成策略，即通过逆合成分析巧妙设计硼化前体，后通过一锅硼化法（one-pot borylation）或一步硼化法（one-shot borylation），将其转化为目标化合物。迄今为止，该策略得到了广泛的发展，制备了大量的高效率、窄带发射的OLED器件，然而，在构筑MR-TADF分子时仍面临一些挑战，例如反应位点的控制以及在优化分子性质时耗时的合成步骤。

后修饰策略作为一种有力的补充方法，为分子性质的优化和结构的拓展提供了通用且便捷的途径。2022年吉林大学王悦、李成龙教授团队提出C─H活化策略对最低未占有分子轨道（LUMO）位点进行模块化合成，到2023年进一步开发NBS溴代策略对最高占据分子轨道（HOMO）位点进行功能化，探索了通过单键连接MR核与外围修饰片段的中间体介导的后修饰策略，推动了多种高性能MR-TADF材料的开发。近来，王悦、李成龙教授团队又提出了简便的一步硫（S）锁定策略，在实现发射光谱大幅度红移的同时，通过避免单键的引入减弱了光谱展宽。然而，sp2杂化S原子使得MR骨架更加平面性，增强了聚集诱导猝灭（ACQ）。

为进一步构筑兼具高效率、窄带发射且能有效抑制ACQ的MR-TADF分子，李成龙教授等人提出了一步、高效、无金属的磷氧（P=O）后修饰策略，首次成功构筑了B/N/P=O骨架融合的MR-TADF材料（PO-BCzBN和PO-tFBN）。该策略通过嵌入“P=O锁”增强π共轭平面的刚性，从而保持窄带发射；同时，sp3杂化P原子呈三角锥构型，引入空间位阻以抑制ACQ；此外，O原子上在激发态表现出n→π*跃迁特性，在一定程度上增强自旋轨道耦合（SOC），以促进自旋翻转。合成的PO-BCzBN与PO-tFBN材料在溶液中分别表现出466 nm与493 nm的发光峰，半峰宽（FWHM）分别为21 nm与23 nm，光致发光量子效率（PLQY）为98%与99%，反系间窜跃速率（kRISC）分别达到2.0 × 104s⁻¹和2.1 × 104s⁻¹，且在薄膜状态下展现出显著的抗浓度猝灭能力。以PO-BCzBN与PO-tFBN为发光层的单主体OLED器件，在1–20 wt%的宽掺杂范围内，实现了最高外量子效率（EQE）分别为21.6%–34.2%与28.3%–35.8%，且具有出色的抗ACQ性能，其电致发光峰位（λEL）分别为472–476 nm（FWHM = 24–28 nm）和496–500 nm（FWHM = 26–27 nm）。该研究有助于开发高效、窄带且抗猝灭的MR-TADF材料，展示了一种高效、简便且可以普适推广的分子设计思路，为MR-TADF材料的结构多样化与性能调控提供了新的策略。

图1.分子设计策略

该工作发表在Angew. Chem. Int. Ed.（DOI:10.1002/anie.202518065）上，吉林大学博士研究生郭丽晓为论文的第一作者，吉林大学李成龙教授为文章的通讯作者。

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https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.202518065