晶格应变工程是当前调控材料电子结构、优化催化性能的重要技术手段。适度的晶格应变可改变原子间键长、键角及轨道重叠方式,进而调控材料能带结构、载流子运输行为以及表面反应能垒,为提升催化性能提供有效途径。目前大多数应变调控方法依赖于界面失配、外延生长、缺陷诱导等方式,普遍存在应变幅度有限、调控精度不足等问题。高压可直接作用于晶体晶格,是调控晶体结构最有效的方法之一;然而多数半导体材料在高压条件下易出...
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